ADA080N120 是安海半导体推出的 800V N沟道SiC功率MOSFETTO-220F封装主打低损耗、高可靠。其典型RDS(ON)仅120mΩQg仅15.3nC开关速度快且反向恢复特性优异大幅降低硬开关损耗与EMI压力。在25℃下连续电流19A100℃下仍可维持13.5A输出结壳热阻低至1.98℃/W最高结温175℃适配高温工况。适合用于AC-DC快充、光伏微逆、电池充电机等高频开关电源场景兼顾效率与成本是中高功率密度方案的优选器件。