DL2M100N5 Datasheet01【测量DL20M100N5基本参数】一、数据手册手边的这款IGBT它的型号为DL2M100N5 之前通过它做了一些相应的电子学实验 下面我们测量一下它的一些基本参数 数据手册中给出它的耐压最小超过500伏。 在10伏驱动下它的导通电阻在45毫欧姆左右 下面我们通过实际的晶体管耐压仪 测了一下它具体的击穿电压大小 并通过直流电源提供两安的导通电流 测量一下它的导通电阻的大小。二、测试结果使用晶体管耐压仪测试IGBT的耐压 探针连接IGBT的源极和漏极 接下来我们来测试一下它对应的击穿电压这个击穿电压达到了850伏 这说明现在IGBT可以比较安全地工作在500V负载电压中。接下来我们测量一下IG GBT导通时的导通电阻 我们可以通过控制板给它的栅极添加10伏的驱动电压 利用DH1766直流电源提供两安的恒流电流我们可以测量对应的源漏之间的电压大约为54毫伏 这样对应的导通电阻在27毫欧姆左右 这与它的数据手册中给出的45毫欧姆要小的多。 也许这是在很小的电流 2安培下测量的结果 b比起它的数据手册给定的导通电阻要小的多。 数据手册给定的测量条件是在通过50安培的情况下测量的结果。接下来我们测量一下IGBT导通时的导通电阻 我们可以通过控制板给它的栅极添加10伏的驱动电压 利用DH1766直流电源提供两安的恒流电流我们可以测量对应的源漏之间的电压大约为54毫伏 这样对应的导通电阻在27毫欧姆左右 这与它的数据手册中给出的45毫欧姆要小得多。 也许这是在很小的电流2安培下测量的结果 比起它的数据手册给定的导通电阻要小得多。 数据手册给定的测量条件是在通过50安培的情况下测量的结果。※总结 ※本文测量了手边的这款IGBT的基本参数 它的耐压和导通电阻 测量结果与它数据手册给定的结果是吻合的。 实测的击穿电压为850伏左右 大于手册中给定的500伏耐压 测量的导通电阻在27毫欧姆 比手册中给定的45毫欧姆要小。■ 相关文献链接:DL2M100N5 Datasheet