EG2184 是屹晶微电子推出的SOP‑8 封装高压半桥 MOS/IGBT 栅极驱动芯片采用自举悬浮驱动架构内置死区、欠压保护与 SD 紧急关断功能主打高性价比广泛用于电机、开关电源、D 类功放等电力电子场景。一、芯片核心概述EG2184 为单输入半桥驱动仅 1 路 PWM 输入 IN 控制上下桥互补输出搭配 SD 硬件关断引脚可驱动 600V 等级 N 沟道 MOS 管、IGBT。芯片内部集成逻辑处理、电平位移、脉冲滤波、死区控制、VCC/VB 双路欠压保护仅需一路 10‑20V 供电依靠外部自举二极管 自举电容实现高端悬浮驱动外围元器件少简化硬件设计。关键硬件参数项目参数高端悬浮耐压600VVCC 供电10‑20V典型 15V逻辑输入兼容 3.3V/5V MCU 电平最大开关频率500kHz输出驱动电流拉电流 1.9A灌电流 2.3A内置死区时间400‑600ns典型 500ns封装SOP‑8RoHS 无铅无卤工作温度-40~125℃内置电阻IN 引脚内置 200kΩ 下拉电阻SD 引脚内置 200kΩ 上拉电阻。引脚悬空时SD 默认高电平IN 默认低电平避免器件误动作。二、引脚定义与逻辑真值表SOP‑8 共 8 个引脚IN (1 脚输入)PWM 逻辑输入。IN1HO 输出高、LO 输出低IN0HO 输出低、LO 输出高。SD (2 脚输入低有效)硬件关断。SD0强制 HO、LO 同时输出低上下功率管全部关断SD1芯片跟随 IN 信号正常工作。GND (3 脚)芯片功率地。LO (4 脚输出)低端 MOS 管栅极驱动输出。VCC (5 脚电源)芯片供电10‑20V就近并联 0.1~1μF 高频陶瓷电容。VS (6 脚)高端悬浮地接半桥中点。HO (7 脚输出)高端 MOS 管栅极驱动输出。VB (8 脚)高端悬浮电源连接自举电容与自举二极管。真值表INSDHOLO说明0000SD 低电平强制全部关断1000SD 低电平强制全部关断0101正常工作下管导通1110正常工作上管导通SD 优先级最高无论 IN 是什么电平只要 SD 拉低上下桥立刻关闭适合故障保护、紧急停机场景。三、内部架构与关键保护机制1. 内部结构框图芯片由逻辑输入模块、闭锁 / 死区电路、VCC/VB 欠压保护、电平位移、脉冲滤波、上下两路图腾柱输出驱动组成。电平位移电路实现 600V 高压侧信号隔离转换脉冲滤波抑制输入毛刺避免误触发死区电路强制插入 500ns 典型死区防止上下管直通炸管VCC、VB 两路独立欠压保护电源电压不足时关闭驱动输出保护功率器件。2. 欠压保护VCC 欠压开启典型 8.8V关断典型 8.2VVB自举悬浮电源欠压开启典型 8.7V关断典型 8.1V 当 VCC 或者 VB 电压低于关断阈值芯片关闭输出防止 MOS 管驱动电压不足工作在线性区烧毁。3. 时序参数开通延时 Ton880ns关断延时 Toff380ns上升时间 Tr40ns下降时间 Tf20ns 高低端 HO、LO 时序参数一致时序匹配性好适合高频 PWM 应用。四、典型应用与自举电路要点EG2184 典型应用为半桥拓扑由 VCC 供电外部增加自举二极管 D3、自举电容 C2 构成自举电路驱动上下两只 N‑MOS 管。自举电路工作原理当下管 Q2 导通时半桥中点 VS 接近 GNDVCC 通过自举二极管给自举电容充电当上管 Q1 需要导通下管关断自举电容充当高端驱动电源给 HO 输出提供驱动电压实现高压浮地驱动无需额外隔离电源给高端供电。PCB 设计重点VCC 引脚就近放置 0.1‑1μF 高频陶瓷旁路电容自举电容 C2 尽量靠近 VB (8 脚)、VS (6 脚)缩短走线降低寄生电感HO、LO 到 MOS 管栅极走线尽量短可串联小栅极电阻 R1、R2 抑制振荡自举二极管选用快恢复高压二极管耐压≥600V。自举电容最小容量可按手册公式计算需要综合 MOS 管栅电荷 Qg、工作频率、漏电流来选型避免电容电荷不足导致高端驱动电压跌落。五、典型应用场景无刷电机驱动器单相半桥电机驱动开关电源、DC‑DC 变换器、高压快充电源无线充电、变频水泵控制器高压 Class‑D 音频功放。六、使用注意事项极限参数严禁超规格VB 最高 600VVCC 最大 20V输入信号不超过 6VSD 引脚具备硬件最高优先级系统故障时直接拉低 SD快速切断功率管芯片内置 500ns 死区外部 PWM 可以不再额外增加死区若外部 PWM 死区大于芯片内置死区以外部 PWM 为准逻辑输入兼容 3.3V/5VMCU IO 可直接驱动 IN、SD 引脚不需要额外电平转换环境温度高时注意散热SOP‑8 贴片需要保证足够铜箔散热面积。七、总结EG2184 是一颗国产化高性价比高压半桥驱动芯片单路 PWM 输入 SD 硬件关断内置死区、双路欠压保护600V 耐压1.9A/2.3A 驱动能力外围器件少适合替代同类进口驱动芯片广泛消费类、工业中小功率电力电子设备。核心短板为单输入逻辑不能独立控制上下桥适合互补输出半桥拓扑不适合需要独立控制上下管的场景。 EG2184 芯片深度解析：带 SD 关断的国产高压 MOS 驱动方案
EG2184 是屹晶微电子推出的SOP‑8 封装高压半桥 MOS/IGBT 栅极驱动芯片采用自举悬浮驱动架构内置死区、欠压保护与 SD 紧急关断功能主打高性价比广泛用于电机、开关电源、D 类功放等电力电子场景。一、芯片核心概述EG2184 为单输入半桥驱动仅 1 路 PWM 输入 IN 控制上下桥互补输出搭配 SD 硬件关断引脚可驱动 600V 等级 N 沟道 MOS 管、IGBT。芯片内部集成逻辑处理、电平位移、脉冲滤波、死区控制、VCC/VB 双路欠压保护仅需一路 10‑20V 供电依靠外部自举二极管 自举电容实现高端悬浮驱动外围元器件少简化硬件设计。关键硬件参数项目参数高端悬浮耐压600VVCC 供电10‑20V典型 15V逻辑输入兼容 3.3V/5V MCU 电平最大开关频率500kHz输出驱动电流拉电流 1.9A灌电流 2.3A内置死区时间400‑600ns典型 500ns封装SOP‑8RoHS 无铅无卤工作温度-40~125℃内置电阻IN 引脚内置 200kΩ 下拉电阻SD 引脚内置 200kΩ 上拉电阻。引脚悬空时SD 默认高电平IN 默认低电平避免器件误动作。二、引脚定义与逻辑真值表SOP‑8 共 8 个引脚IN (1 脚输入)PWM 逻辑输入。IN1HO 输出高、LO 输出低IN0HO 输出低、LO 输出高。SD (2 脚输入低有效)硬件关断。SD0强制 HO、LO 同时输出低上下功率管全部关断SD1芯片跟随 IN 信号正常工作。GND (3 脚)芯片功率地。LO (4 脚输出)低端 MOS 管栅极驱动输出。VCC (5 脚电源)芯片供电10‑20V就近并联 0.1~1μF 高频陶瓷电容。VS (6 脚)高端悬浮地接半桥中点。HO (7 脚输出)高端 MOS 管栅极驱动输出。VB (8 脚)高端悬浮电源连接自举电容与自举二极管。真值表INSDHOLO说明0000SD 低电平强制全部关断1000SD 低电平强制全部关断0101正常工作下管导通1110正常工作上管导通SD 优先级最高无论 IN 是什么电平只要 SD 拉低上下桥立刻关闭适合故障保护、紧急停机场景。三、内部架构与关键保护机制1. 内部结构框图芯片由逻辑输入模块、闭锁 / 死区电路、VCC/VB 欠压保护、电平位移、脉冲滤波、上下两路图腾柱输出驱动组成。电平位移电路实现 600V 高压侧信号隔离转换脉冲滤波抑制输入毛刺避免误触发死区电路强制插入 500ns 典型死区防止上下管直通炸管VCC、VB 两路独立欠压保护电源电压不足时关闭驱动输出保护功率器件。2. 欠压保护VCC 欠压开启典型 8.8V关断典型 8.2VVB自举悬浮电源欠压开启典型 8.7V关断典型 8.1V 当 VCC 或者 VB 电压低于关断阈值芯片关闭输出防止 MOS 管驱动电压不足工作在线性区烧毁。3. 时序参数开通延时 Ton880ns关断延时 Toff380ns上升时间 Tr40ns下降时间 Tf20ns 高低端 HO、LO 时序参数一致时序匹配性好适合高频 PWM 应用。四、典型应用与自举电路要点EG2184 典型应用为半桥拓扑由 VCC 供电外部增加自举二极管 D3、自举电容 C2 构成自举电路驱动上下两只 N‑MOS 管。自举电路工作原理当下管 Q2 导通时半桥中点 VS 接近 GNDVCC 通过自举二极管给自举电容充电当上管 Q1 需要导通下管关断自举电容充当高端驱动电源给 HO 输出提供驱动电压实现高压浮地驱动无需额外隔离电源给高端供电。PCB 设计重点VCC 引脚就近放置 0.1‑1μF 高频陶瓷旁路电容自举电容 C2 尽量靠近 VB (8 脚)、VS (6 脚)缩短走线降低寄生电感HO、LO 到 MOS 管栅极走线尽量短可串联小栅极电阻 R1、R2 抑制振荡自举二极管选用快恢复高压二极管耐压≥600V。自举电容最小容量可按手册公式计算需要综合 MOS 管栅电荷 Qg、工作频率、漏电流来选型避免电容电荷不足导致高端驱动电压跌落。五、典型应用场景无刷电机驱动器单相半桥电机驱动开关电源、DC‑DC 变换器、高压快充电源无线充电、变频水泵控制器高压 Class‑D 音频功放。六、使用注意事项极限参数严禁超规格VB 最高 600VVCC 最大 20V输入信号不超过 6VSD 引脚具备硬件最高优先级系统故障时直接拉低 SD快速切断功率管芯片内置 500ns 死区外部 PWM 可以不再额外增加死区若外部 PWM 死区大于芯片内置死区以外部 PWM 为准逻辑输入兼容 3.3V/5VMCU IO 可直接驱动 IN、SD 引脚不需要额外电平转换环境温度高时注意散热SOP‑8 贴片需要保证足够铜箔散热面积。七、总结EG2184 是一颗国产化高性价比高压半桥驱动芯片单路 PWM 输入 SD 硬件关断内置死区、双路欠压保护600V 耐压1.9A/2.3A 驱动能力外围器件少适合替代同类进口驱动芯片广泛消费类、工业中小功率电力电子设备。核心短板为单输入逻辑不能独立控制上下桥适合互补输出半桥拓扑不适合需要独立控制上下管的场景。