一、产品概述RB6008A 是晶准推出的单节锂离子 / 锂聚合物电池保护芯片内部集成功率 MOSFET导通内阻典型 16mΩ。芯片完整实现锂电池全套保护功能充电过压、充电过流、放电过压、多档位放电过流、负载短路、芯片过温保护。外围仅需 1 颗电阻 1 颗电容即可工作外围极简采用 DFN2×3‑8 超小型贴片封装裸焊盘 EPAD 需要与 GND 相连符合 RoHS 无铅标准主要用于单串锂电池包保护板。二、关键电气参数电压阈值过充检测4.44V过充解除4.25V过放检测2.55V过放解除3.05V电流保护三重放电过流检测过放电流 1 典型 7.5A过放电流 2 典型 12A短路保护典型 20A充电过流典型 8A功耗工作静态电流典型 3.5μA休眠电流典型 1.0μA功耗极低温度保护过温保护点 150℃释放温度 120℃极限电气VDD 最大 8VVM 引脚‑5~10V最大功耗 600mW。三、引脚定义DFN2×3‑8VDD电池电压检测电源GND电芯负极5/6/7. VM充放电负端检测2/3/8. NC空脚EPAD散热功率地必须接 GND。外围最简配置电池正极串 100Ω 电阻接 VDDVDD‑GND 并联 0.1μF 电容VM 接电池输出负端 P‑。四、工作模式与保护逻辑四种工作状态正常模式、充电模式、放电模式、休眠模式。过充保护电池电压4.44V 且延时 100ms关断充电通路电压回落至 4.25V 恢复。过放保护电池电压2.55V 延时 100ms 切断放电电压回升 3.05V 恢复电压低于 2.2V 进入休眠休眠电流仅 1μA。三重放电过流IOCI17.5A8ms 延时、IOCI212A2ms 延时、短路保护 20A150μS 极快保护过流 / 短路之后满足 VM 电平条件自动复位。充电过流充电电流超过 8A关断充电通路。过温保护芯片结温 150℃关断充放电降温至 120℃恢复。五、PCB 设计要点DFN2×3‑8 封装底部 EPAD 焊盘务必和 GND 可靠焊接保证散热VDD 外部 100R 电阻、0.1μF 电容就近摆放VM 走线尽量短保证电流采样检测精度功率回路铜皮加宽降低 MOS 发热。六、产品核心亮点内置 16mΩ 低 Rds (on) 功率 MOS省去外部 MOSBOM 精简外围只需要 1R1C方案极简三重放电过流 短路保护多档电流阈值兼顾抗冲击与短路快速切断微安级工作 / 休眠电流极大降低电池自耗电集成过充、过放、充放电过流、短路、芯片过热全套保护DFN2×3‑8 小尺寸封装适合空间受限的单串锂电池模组。七、典型应用场景单节锂电池保护板、单串锂聚合物电池组、小型消费类锂电池产品。八、产品小结RB6008A 为晶准单串锂电集成保护 ICDFN2×3‑8 封装内置 16mΩ MOS具备过充、过放、充放电过流、短路、热保护三重放电过流检测静态 3.5μA、休眠 1μA 超低功耗外围仅一阻一容非常适合单节锂 / 锂聚合物电池包保护。