K4B2G1646C-HCH9三星C-die 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒深度解析在台式计算机、服务器、工业嵌入式系统以及各类需要成熟稳定内存方案的应用中DDR3 SDRAM以其成熟的接口、1.5V标准电压和广泛的兼容性成为系统设计中经久不衰的存储组件选择。三星电子Samsung Electronics推出的K4B2G1646C系列作为2Gb C-die DDR3 SDRAM颗粒在96-ball FBGA封装内集成了128M×16的组织结构、1333Mbps/1600Mbps数据速率和1.5V标准工作电压为台式机内存条、服务器及工业嵌入式系统等应用提供了成熟可靠的DDR3内存解决方案。K4B2G1646C-HCH9是三星电子Samsung Electronics推出的一款2Gb DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器属于三星C-dieC型裸片系列。该器件采用96-ball FBGA封装集成了128M×16的组织结构、1333Mbps-1600Mbps数据速率和1.5V标准工作电压支持商业级0°C至85°C的工作温度范围为台式机内存、服务器及工业控制等应用提供了高兼容性的DDR3内存解决方案。一、产品定位与概述K4B2G1646C-HCH9隶属于三星DDR3 SDRAM产品线是一款标准的2Gb256MB内存颗粒。该器件属于三星C-die40nm工艺C型裸片系列是DDR3内存市场中的经典成熟产品。产品属性规格说明制造商Samsung三星电子全球领先的存储器半导体制造商产品类别DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器存储容量2Gb2048Mbit约256MB组织结构128M × 16位128M个地址 × 16位数据宽度Bank数量8个内部具有8个独立存储体数据速率1333/1600Mbps支持DDR3-1333和DDR3-1600时钟频率667MHz / 800MHz内部时钟频率CAS延迟CL9DDR3-1333/ CL11DDR3-1600可编程配置工作电压1.5V ±0.075VJEDEC标准DDR3电压工艺技术40nm C-die成熟DDR3工艺封装类型FBGA-9696-ball细间距球栅阵列封装尺寸13.3mm × 7.5mm标准DDR3 x16尺寸工作温度0°C ~ 85°C商业级产品状态Obsolete停产已停产替代为Q-die版本环保合规无铅、无卤素、RoHS合规完全符合环保标准该器件采用96-ball FBGA封装是DDR3 x16颗粒的标准封装形式。K4B2G1646C-HCH9支持DDR3-1333和DDR3-1600两种速度等级是无铅、无卤素且符合RoHS标准的环保版本。二、C-die40nm工艺技术解析K4B2G1646C-HCH9中的“C-die”标识代表该器件采用三星C-die40nm工艺C型裸片技术。这是三星DDR3产品线中经典且极具代表性的Die版本之一。三星DDR3 Die版本演进Die版本工艺代表型号速度支持产品状态C-die40nmK4B2G1646C-HCH9DDR3-1333/1600停产ObsoleteD-die30nmK4B2G1646D-xxxDDR3-1600/1866停产E-die30nm增强K4B2G1646E-xxxDDR3-1600/1866停产F-die20nmK4B2G1646F-xxxDDR3-1600/1866停产Q-die先进工艺K4B2G1646Q-xxxDDR3-1600/1866在产C-die40nm工艺的核心特点成熟的40nm工艺制程是DDR3普及阶段的主力产品稳定支持DDR3-1333和DDR3-1600速度1.5V标准电压与JEDEC标准完全兼容96-ball FBGA封装无铅、无卤素、RoHS合规在2010-2015年间广泛应用于各类DDR3内存模组C-die是三星DDR3产品线中具有里程碑意义的版本代表了DDR3技术在40nm节点的成熟状态曾长期作为市场主流产品供应。三、核心技术特性K4B2G1646C-HCH9在数据速率、功耗控制和DDR3架构方面的表现是其核心竞争力。3.1 数据速率1333/1600MbpsDDR3-1333/1600参数规格说明时钟频率667MHz / 800MHz内部时钟频率数据传输速率1333/1600 Mbps每引脚数据速率等效频率1333/1600 MHzDDR双倍数据速率CAS延迟CL9DDR3-1333/11DDR3-1600标准时序配置访问时间tAC0.225ns-0.255ns时钟到数据输出延迟带宽×162.1/2.6 GB/s实际有效带宽两种速度等级是该器件的灵活配置特性DDR3-1333667MHz标准速度时序9-9-9-24DDR3-1600800MHz高速配置时序11-11-11-28对于×16位宽的器件单颗颗粒的理论带宽约为2.1-2.6GB/s是当时主流台式机和服务器内存条的基础构建单元。3.2 1.5V标准工作电压电压参数最小值典型值最大值单位工作电压VDD/VDDQ1.4251.51.575V1.5V工作电压是DDR3的标准规格相比DDR2的1.8V功耗显著降低。VDD和VDDQ均使用1.5V供电与SSTL_15接口标准兼容。该器件为标准电压DDR3非DDR3L低电压版本与1.35V DDR3L不可直接混用但具备更好的信号裕量和兼容性。3.3 存储组织128M × 16K4B2G1646C-HCH9采用128M × 16的组织结构128M地址深度每个颗粒包含134,217,728个存储地址×16数据宽度每个地址对应16位并行数据输出8 Banks内部具有8个独立存储体支持交错操作这种×16的组织方式使得单颗芯片即可提供16位的数据总线宽度非常适合直接与处理器或主控芯片连接。在台式机内存条中通常由8颗这样的颗粒组成64位总线宽度的DIMM模组。3.4 DDR3核心架构特性K4B2G1646C-HCH9支持完整的DDR3标准功能集是JEDEC DDR3规范的完整实现特性规格说明Bank数量8 Banks支持Bank交错操作提高数据吞吐量预取架构8n预取DDR3核心预取技术差分时钟CK, CK#提高时钟信号抗干扰能力双向差分DQS支持x16器件有两组DQSLDQS/UDQSDLL电路集成对齐DQ和DQS与CK的转换边沿Posted CAS支持支持附加延迟Additive Latency突发长度8BL8/ 4BC4突发截断模式可选ODT片上端接支持多级端接选项简化PCB设计ZQ校准支持内部自校准优化信号完整性异步复位支持快速复位功能数据掩码LDM, UDM高低字节写入掩码自动刷新Auto-Refresh支持简化控制器设计自刷新Self-Refresh支持低功耗数据保持刷新周期8192周期/64ms7.8μs刷新间隔8n预取架构是DDR3相比DDR2的核心技术改进。DDR2采用4n预取DDR3将预取位宽提升至8n使得在相同内部核心频率下I/O接口的数据速率再次翻倍。ZQ校准功能通过外部240Ω ±1%精密电阻对输出驱动和ODT进行校准补偿电压和温度变化对信号质量的影响。3.5 温度规格与刷新机制K4B2G1646C-HCH9支持商业级温度范围。温度参数规格说明工作温度TCASE0°C ~ 85°C商业级温度范围存储温度-55°C ~ 125°C非工作状态标准刷新周期7.8μsTCASE ≤ 85°C85°C的最高工作温度是该器件的标准商业级规格适用于台式机、服务器机房等室内环境。对于需要更宽温度范围如-40°C至95°C的工业应用三星提供工业级版本的DDR3颗粒如I后缀型号。3.6 电源功耗参数规格说明典型工作功耗2.0W满载工作时待机功耗0.15W待机模式2.0W的典型工作功耗对于2Gb DDR3颗粒属于正常范围。在1.5V电压下整体功耗控制可满足台式机和服务器对散热的要求。四、封装规格与引脚说明K4B2G1646C-HCH9采用96-ball FBGA封装Fine-pitch Ball Grid Array。封装参数规格说明封装类型FBGA-96细间距球栅阵列封装尺寸10mm × 14mm或 13.3mm × 7.5mm标准DDR3 x16尺寸封装高度1.2mm最大薄型设计球间距0.8mm标准间距端子形式BALL焊球表面贴装端子表面处理Sn/Ag/Cu无铅环保引脚数量96标准x16引脚数环保合规无铅、无卤素、RoHS完全符合FBGA封装的特点与优势信号路径短焊球直接连接至PCB焊盘减小信号延迟和电感效应散热性能好通过底部焊球和PCB铜皮散热适合高密度布线0.8mm球间距支持多层PCB设计标准封装尺寸与同规格DDR3颗粒完全兼容4.1 引脚功能概述96-ball FBGA封装的信号引脚分类如下标准DDR3 x16引脚排列引脚类型主要功能说明数据引脚DQ0-DQ1516位数据总线数据选通LDQS/LDQS#UDQS/UDQS#两组差分数据选通高/低字节数据掩码LDM, UDM高低字节写入掩码地址引脚A0-A14行/列地址复用输入Bank地址BA0-BA2Bank选择8个Bank时钟CK, CK#差分时钟输入时钟使能CKE时钟使能片选CS#芯片选择行地址选通RAS#—列地址选通CAS#—写使能WE#—ZQZQ外部校准电阻接口复位RESET#异步复位电源/地VDD, VDDQ, VSS, VREF多组电源和地x16器件的特殊引脚配置与x8版本不同x16器件使用两组数据选通和两组数据掩码LDQS/LDQS#用于低8位DQ0-DQ7UDQS/UDQS#用于高8位DQ8-DQ15五、型号命名规则解读K4B2G1646C-HCH9的命名规则揭示了该型号的完整规格信息字段含义说明K三星内存标识三星标准前缀4DRAM颗粒表示DRAM产品BDDR3DRAM类型B代表DDR32G密度2Gb2048Mbit16组织结构x1616位数据总线46组织细节128M × 16 / 8 BanksCDie版本/工艺C-die40nm工艺-HCH9封装/速度/温度完整后缀说明“C”后缀的含义代表Die版本Die Revision指示该颗粒采用40nm C-die工艺。这是三星DDR3颗粒迭代中的关键版本节点。“HCH9”后缀解析字符含义说明H封装类型FBGA封装C电压/温度1.5V / 商业级H9速度等级1333MbpsDDR3-1333速度等级代码对应关系速度代码数据速率CAS延迟适用场景H91333MbpsCL9标准DDR3-1333K01600MbpsCL11高速DDR3-1600K41600MbpsCL10高速DDR3-1600更低延迟六、实际应用与兼容性K4B2G1646C-HCH9曾是2010-2015年间DDR3内存模组的主流颗粒选择在各类电子设备中广泛应用。6.1 内存模组应用该颗粒被多家内存模组厂商采用用于制造DDR3-1333和DDR3-1600内存条模组类型颗粒配置总容量4GB UDIMM8颗 K4B2G1646C-HCH94GB8GB UDIMM16颗 K4B2G1646C-HCH98GB2GB SODIMM8颗 K4B2G1646C-HCH9注需核对2GB在台式机内存条中通常使用8颗K4B2G1646C-HCH9颗粒组成4GB容量的标准内存模组。由于该颗粒是x16位宽的需要8颗才能构成64位的数据总线宽度与处理器内存控制器匹配。实际应用案例德州仪器TMS320C6678评估板Rev 3.0明确使用了K4B2G1646C-HCH9作为板载DDR3内存颗粒。6.2 平台兼容性K4B2G1646C-HCH9已通过多款主流平台和主板的兼容性验证平台/主板兼容性说明Intel 2代/3代酷睿处理器已验证DDR3-1333/1600原生支持AMD AM3/AM3平台已验证Phenom II/Bulldozer系列TI TMS320C6678 EVM已验证德州仪器DSP评估板各主流主板品牌已验证DDR3 DIMM插槽兼容该颗粒的DDR3-1333/1600速度等级与Intel酷睿2/酷睿i系列、AMD Phenom II等平台的DDR3内存控制器完全兼容。七、应用场景分析基于2Gb容量、128M×16高速架构和1.5V标准电压的组合K4B2G1646C-HCH9适用于以下应用场景9.1 台式机与服务器内存核心应用应用功能描述关键特性匹配台式机内存条4GB/8GB DDR3-1333/1600模组128M×16组织 1.5V标准电压入门级服务器UDIMM内存8 Banks高并发工作站系统内存扩展成熟可靠性该颗粒最典型的应用场景是DDR3-1333台式机内存条8颗颗粒组成4GB容量、64位总线宽度的标准内存模组。9.2 工业嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配工业控制计算机板载DDR3内存FBGA-96封装直接贴装嵌入式主板系统内存0°C~85°C商业级温度HMI人机界面显示缓冲成熟可靠性在德州仪器TMS320C6678 DSP评估板中K4B2G1646C-HCH9被用作板载DDR3内存颗粒证明了其在工业嵌入式领域的可靠性。9.3 网络通信设备应用功能描述关键特性匹配企业级路由器包缓冲区1333Mbps-1600Mbps高速访问交换机数据包缓存低功耗特性网络安全设备数据缓冲8 Banks高吞吐量9.4 消费电子应用功能描述关键特性匹配智能电视系统内存2Gb容量机顶盒解码缓冲成熟稳定游戏机PS3/Xbox360等辅助存储/维修16位总线直连笔记本电脑SODIMM内存模组低功耗适合移动设备9.5 老旧设备维护与维修应用功能描述关键特性匹配老旧台式机内存升级内存芯片更换96-BGA植球维修工业控制板维修内存颗粒替换标准DDR3引脚排列游戏机维修内存芯片更换成熟颗粒供应K4B2G1646C-HCH9 | Samsung | 三星 | DDR3 SDRAM | 2Gb | 128M×16 | 1333/1600Mbps | DDR3-1333 | DDR3-1600 | FBGA-96 | 1.5V | 256MB | 0°C~85°C | 40nm | C-die | 8 Banks | 8n预取 | ODT | ZQ校准 | 台式机内存 | 服务器内存 | 嵌入式系统 | 工业控制 | 德州仪器 | TMS320C6678 | 内存颗粒Email: carrotaunytorchips.com
三星K4B2G1646C-HCH9：2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒技术规格
发布时间：2026/6/11 5:24:53
K4B2G1646C-HCH9三星C-die 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒深度解析在台式计算机、服务器、工业嵌入式系统以及各类需要成熟稳定内存方案的应用中DDR3 SDRAM以其成熟的接口、1.5V标准电压和广泛的兼容性成为系统设计中经久不衰的存储组件选择。三星电子Samsung Electronics推出的K4B2G1646C系列作为2Gb C-die DDR3 SDRAM颗粒在96-ball FBGA封装内集成了128M×16的组织结构、1333Mbps/1600Mbps数据速率和1.5V标准工作电压为台式机内存条、服务器及工业嵌入式系统等应用提供了成熟可靠的DDR3内存解决方案。K4B2G1646C-HCH9是三星电子Samsung Electronics推出的一款2Gb DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器属于三星C-dieC型裸片系列。该器件采用96-ball FBGA封装集成了128M×16的组织结构、1333Mbps-1600Mbps数据速率和1.5V标准工作电压支持商业级0°C至85°C的工作温度范围为台式机内存、服务器及工业控制等应用提供了高兼容性的DDR3内存解决方案。一、产品定位与概述K4B2G1646C-HCH9隶属于三星DDR3 SDRAM产品线是一款标准的2Gb256MB内存颗粒。该器件属于三星C-die40nm工艺C型裸片系列是DDR3内存市场中的经典成熟产品。产品属性规格说明制造商Samsung三星电子全球领先的存储器半导体制造商产品类别DDR3 SDRAM第三代双倍数据速率同步动态随机存取存储器存储容量2Gb2048Mbit约256MB组织结构128M × 16位128M个地址 × 16位数据宽度Bank数量8个内部具有8个独立存储体数据速率1333/1600Mbps支持DDR3-1333和DDR3-1600时钟频率667MHz / 800MHz内部时钟频率CAS延迟CL9DDR3-1333/ CL11DDR3-1600可编程配置工作电压1.5V ±0.075VJEDEC标准DDR3电压工艺技术40nm C-die成熟DDR3工艺封装类型FBGA-9696-ball细间距球栅阵列封装尺寸13.3mm × 7.5mm标准DDR3 x16尺寸工作温度0°C ~ 85°C商业级产品状态Obsolete停产已停产替代为Q-die版本环保合规无铅、无卤素、RoHS合规完全符合环保标准该器件采用96-ball FBGA封装是DDR3 x16颗粒的标准封装形式。K4B2G1646C-HCH9支持DDR3-1333和DDR3-1600两种速度等级是无铅、无卤素且符合RoHS标准的环保版本。二、C-die40nm工艺技术解析K4B2G1646C-HCH9中的“C-die”标识代表该器件采用三星C-die40nm工艺C型裸片技术。这是三星DDR3产品线中经典且极具代表性的Die版本之一。三星DDR3 Die版本演进Die版本工艺代表型号速度支持产品状态C-die40nmK4B2G1646C-HCH9DDR3-1333/1600停产ObsoleteD-die30nmK4B2G1646D-xxxDDR3-1600/1866停产E-die30nm增强K4B2G1646E-xxxDDR3-1600/1866停产F-die20nmK4B2G1646F-xxxDDR3-1600/1866停产Q-die先进工艺K4B2G1646Q-xxxDDR3-1600/1866在产C-die40nm工艺的核心特点成熟的40nm工艺制程是DDR3普及阶段的主力产品稳定支持DDR3-1333和DDR3-1600速度1.5V标准电压与JEDEC标准完全兼容96-ball FBGA封装无铅、无卤素、RoHS合规在2010-2015年间广泛应用于各类DDR3内存模组C-die是三星DDR3产品线中具有里程碑意义的版本代表了DDR3技术在40nm节点的成熟状态曾长期作为市场主流产品供应。三、核心技术特性K4B2G1646C-HCH9在数据速率、功耗控制和DDR3架构方面的表现是其核心竞争力。3.1 数据速率1333/1600MbpsDDR3-1333/1600参数规格说明时钟频率667MHz / 800MHz内部时钟频率数据传输速率1333/1600 Mbps每引脚数据速率等效频率1333/1600 MHzDDR双倍数据速率CAS延迟CL9DDR3-1333/11DDR3-1600标准时序配置访问时间tAC0.225ns-0.255ns时钟到数据输出延迟带宽×162.1/2.6 GB/s实际有效带宽两种速度等级是该器件的灵活配置特性DDR3-1333667MHz标准速度时序9-9-9-24DDR3-1600800MHz高速配置时序11-11-11-28对于×16位宽的器件单颗颗粒的理论带宽约为2.1-2.6GB/s是当时主流台式机和服务器内存条的基础构建单元。3.2 1.5V标准工作电压电压参数最小值典型值最大值单位工作电压VDD/VDDQ1.4251.51.575V1.5V工作电压是DDR3的标准规格相比DDR2的1.8V功耗显著降低。VDD和VDDQ均使用1.5V供电与SSTL_15接口标准兼容。该器件为标准电压DDR3非DDR3L低电压版本与1.35V DDR3L不可直接混用但具备更好的信号裕量和兼容性。3.3 存储组织128M × 16K4B2G1646C-HCH9采用128M × 16的组织结构128M地址深度每个颗粒包含134,217,728个存储地址×16数据宽度每个地址对应16位并行数据输出8 Banks内部具有8个独立存储体支持交错操作这种×16的组织方式使得单颗芯片即可提供16位的数据总线宽度非常适合直接与处理器或主控芯片连接。在台式机内存条中通常由8颗这样的颗粒组成64位总线宽度的DIMM模组。3.4 DDR3核心架构特性K4B2G1646C-HCH9支持完整的DDR3标准功能集是JEDEC DDR3规范的完整实现特性规格说明Bank数量8 Banks支持Bank交错操作提高数据吞吐量预取架构8n预取DDR3核心预取技术差分时钟CK, CK#提高时钟信号抗干扰能力双向差分DQS支持x16器件有两组DQSLDQS/UDQSDLL电路集成对齐DQ和DQS与CK的转换边沿Posted CAS支持支持附加延迟Additive Latency突发长度8BL8/ 4BC4突发截断模式可选ODT片上端接支持多级端接选项简化PCB设计ZQ校准支持内部自校准优化信号完整性异步复位支持快速复位功能数据掩码LDM, UDM高低字节写入掩码自动刷新Auto-Refresh支持简化控制器设计自刷新Self-Refresh支持低功耗数据保持刷新周期8192周期/64ms7.8μs刷新间隔8n预取架构是DDR3相比DDR2的核心技术改进。DDR2采用4n预取DDR3将预取位宽提升至8n使得在相同内部核心频率下I/O接口的数据速率再次翻倍。ZQ校准功能通过外部240Ω ±1%精密电阻对输出驱动和ODT进行校准补偿电压和温度变化对信号质量的影响。3.5 温度规格与刷新机制K4B2G1646C-HCH9支持商业级温度范围。温度参数规格说明工作温度TCASE0°C ~ 85°C商业级温度范围存储温度-55°C ~ 125°C非工作状态标准刷新周期7.8μsTCASE ≤ 85°C85°C的最高工作温度是该器件的标准商业级规格适用于台式机、服务器机房等室内环境。对于需要更宽温度范围如-40°C至95°C的工业应用三星提供工业级版本的DDR3颗粒如I后缀型号。3.6 电源功耗参数规格说明典型工作功耗2.0W满载工作时待机功耗0.15W待机模式2.0W的典型工作功耗对于2Gb DDR3颗粒属于正常范围。在1.5V电压下整体功耗控制可满足台式机和服务器对散热的要求。四、封装规格与引脚说明K4B2G1646C-HCH9采用96-ball FBGA封装Fine-pitch Ball Grid Array。封装参数规格说明封装类型FBGA-96细间距球栅阵列封装尺寸10mm × 14mm或 13.3mm × 7.5mm标准DDR3 x16尺寸封装高度1.2mm最大薄型设计球间距0.8mm标准间距端子形式BALL焊球表面贴装端子表面处理Sn/Ag/Cu无铅环保引脚数量96标准x16引脚数环保合规无铅、无卤素、RoHS完全符合FBGA封装的特点与优势信号路径短焊球直接连接至PCB焊盘减小信号延迟和电感效应散热性能好通过底部焊球和PCB铜皮散热适合高密度布线0.8mm球间距支持多层PCB设计标准封装尺寸与同规格DDR3颗粒完全兼容4.1 引脚功能概述96-ball FBGA封装的信号引脚分类如下标准DDR3 x16引脚排列引脚类型主要功能说明数据引脚DQ0-DQ1516位数据总线数据选通LDQS/LDQS#UDQS/UDQS#两组差分数据选通高/低字节数据掩码LDM, UDM高低字节写入掩码地址引脚A0-A14行/列地址复用输入Bank地址BA0-BA2Bank选择8个Bank时钟CK, CK#差分时钟输入时钟使能CKE时钟使能片选CS#芯片选择行地址选通RAS#—列地址选通CAS#—写使能WE#—ZQZQ外部校准电阻接口复位RESET#异步复位电源/地VDD, VDDQ, VSS, VREF多组电源和地x16器件的特殊引脚配置与x8版本不同x16器件使用两组数据选通和两组数据掩码LDQS/LDQS#用于低8位DQ0-DQ7UDQS/UDQS#用于高8位DQ8-DQ15五、型号命名规则解读K4B2G1646C-HCH9的命名规则揭示了该型号的完整规格信息字段含义说明K三星内存标识三星标准前缀4DRAM颗粒表示DRAM产品BDDR3DRAM类型B代表DDR32G密度2Gb2048Mbit16组织结构x1616位数据总线46组织细节128M × 16 / 8 BanksCDie版本/工艺C-die40nm工艺-HCH9封装/速度/温度完整后缀说明“C”后缀的含义代表Die版本Die Revision指示该颗粒采用40nm C-die工艺。这是三星DDR3颗粒迭代中的关键版本节点。“HCH9”后缀解析字符含义说明H封装类型FBGA封装C电压/温度1.5V / 商业级H9速度等级1333MbpsDDR3-1333速度等级代码对应关系速度代码数据速率CAS延迟适用场景H91333MbpsCL9标准DDR3-1333K01600MbpsCL11高速DDR3-1600K41600MbpsCL10高速DDR3-1600更低延迟六、实际应用与兼容性K4B2G1646C-HCH9曾是2010-2015年间DDR3内存模组的主流颗粒选择在各类电子设备中广泛应用。6.1 内存模组应用该颗粒被多家内存模组厂商采用用于制造DDR3-1333和DDR3-1600内存条模组类型颗粒配置总容量4GB UDIMM8颗 K4B2G1646C-HCH94GB8GB UDIMM16颗 K4B2G1646C-HCH98GB2GB SODIMM8颗 K4B2G1646C-HCH9注需核对2GB在台式机内存条中通常使用8颗K4B2G1646C-HCH9颗粒组成4GB容量的标准内存模组。由于该颗粒是x16位宽的需要8颗才能构成64位的数据总线宽度与处理器内存控制器匹配。实际应用案例德州仪器TMS320C6678评估板Rev 3.0明确使用了K4B2G1646C-HCH9作为板载DDR3内存颗粒。6.2 平台兼容性K4B2G1646C-HCH9已通过多款主流平台和主板的兼容性验证平台/主板兼容性说明Intel 2代/3代酷睿处理器已验证DDR3-1333/1600原生支持AMD AM3/AM3平台已验证Phenom II/Bulldozer系列TI TMS320C6678 EVM已验证德州仪器DSP评估板各主流主板品牌已验证DDR3 DIMM插槽兼容该颗粒的DDR3-1333/1600速度等级与Intel酷睿2/酷睿i系列、AMD Phenom II等平台的DDR3内存控制器完全兼容。七、应用场景分析基于2Gb容量、128M×16高速架构和1.5V标准电压的组合K4B2G1646C-HCH9适用于以下应用场景9.1 台式机与服务器内存核心应用应用功能描述关键特性匹配台式机内存条4GB/8GB DDR3-1333/1600模组128M×16组织 1.5V标准电压入门级服务器UDIMM内存8 Banks高并发工作站系统内存扩展成熟可靠性该颗粒最典型的应用场景是DDR3-1333台式机内存条8颗颗粒组成4GB容量、64位总线宽度的标准内存模组。9.2 工业嵌入式系统应用功能描述关键特性匹配工业控制计算机板载DDR3内存FBGA-96封装直接贴装嵌入式主板系统内存0°C~85°C商业级温度HMI人机界面显示缓冲成熟可靠性在德州仪器TMS320C6678 DSP评估板中K4B2G1646C-HCH9被用作板载DDR3内存颗粒证明了其在工业嵌入式领域的可靠性。9.3 网络通信设备应用功能描述关键特性匹配企业级路由器包缓冲区1333Mbps-1600Mbps高速访问交换机数据包缓存低功耗特性网络安全设备数据缓冲8 Banks高吞吐量9.4 消费电子应用功能描述关键特性匹配智能电视系统内存2Gb容量机顶盒解码缓冲成熟稳定游戏机PS3/Xbox360等辅助存储/维修16位总线直连笔记本电脑SODIMM内存模组低功耗适合移动设备9.5 老旧设备维护与维修应用功能描述关键特性匹配老旧台式机内存升级内存芯片更换96-BGA植球维修工业控制板维修内存颗粒替换标准DDR3引脚排列游戏机维修内存芯片更换成熟颗粒供应K4B2G1646C-HCH9 | Samsung | 三星 | DDR3 SDRAM | 2Gb | 128M×16 | 1333/1600Mbps | DDR3-1333 | DDR3-1600 | FBGA-96 | 1.5V | 256MB | 0°C~85°C | 40nm | C-die | 8 Banks | 8n预取 | ODT | ZQ校准 | 台式机内存 | 服务器内存 | 嵌入式系统 | 工业控制 | 德州仪器 | TMS320C6678 | 内存颗粒Email: carrotaunytorchips.com
