苏州晟雅泰电子：海力士H54G46CYRBX267N这个物料的参数、规格及应用领域

物料H54G46CYRBX267N是由SK Hynix海力士生产的LPDDR4/LPDDR4X SDRAM低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器。 核心参数与规格属性参数值内存大小16 Gb (2 GB)内存组织1G x 161G bit 容量 x 16位 I/O内存格式LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM数据速率最高4266 Mbps时钟频率最高2133 MHz电源电压 (VDD1/VDD2/VDDQ)- LPDDR4 模式1.8V / 1.1V / 1.1V- LPDDR4X 模式1.8V / 1.1V / 0.6V温度范围-25°C 至 85°C封装形式200-ball FBGA封装尺寸10mm × 15mmRoHS 合规是无铅/环保ECCN 分类EAR99 主要应用领域这款芯片主要面向对功耗、性能和集成度有较高要求的移动终端和嵌入式设备。凭借其优异的LPDDR4/LPDDR4X架构和最高4266 Mbps的数据速率它以更高的能效和更小的尺寸为各类现代电子设备提供核心动力。其典型应用场景主要包括智能手机与平板电脑作为设备的主内存保障系统与各类应用的流畅运行。超便携计算设备如轻薄笔记本电脑、Chromebook等。嵌入式系统应用于工业控制、智能家居网关、数字标牌等领域。汽车电子用于车载信息娱乐系统IVI和高级驾驶辅助系统ADAS需注意其宽温设计仅支持商业级-25°C 至 85°C的应用场景。