前言欢迎来到逻辑电路的世界作为构建数字电路的砖头MOSFET起着很大的作用。Features1针对高性能SMPS推荐同步型。2非常低的Rdson导通电阻Vgs4.5V测试状态下低的导通电阻适合过大电流。3100%经过雪崩测试可以评估高压瞬态事件中鲁棒性。4卓越的耐热性后面可以具体看看温度参数。5N沟道。6符合JEDEC标准。7无铅产品符合RoHS标准。8Halogen-free 无卤素绿色制造环保。key performance parameters这里有个关键参数值得注意Vds 电压,40VRdson,3.2mΩId,98A 漏极电流Qoss,22nC 漏极电容QG0V…10V,25nC 栅极总电荷(Qoss和QG越小越适合高频应用场景)拓展:Maximum ratings最大额定值:1,持续额定值,Vgs开关电压,和Tc(case temperature)封装测试温度,对应的最大drain漏极电流.2,脉冲电流:Tc25℃,最大能到392A.这个参数由于时间极短热量来不及积累所以可以允许远大于连续电流的数值。这在电机启动、电容充电等场景中很重要。3,Avalanche energy,single pulse 单脉冲雪崩能量,这是衡量MOSFET耐用性鲁棒性 的关键指标。在感性负载如电机、变压器关断时电感会试图维持电流导致MOSFET两端电压瞬间冲高超过Vds耐压值进入“雪崩”击穿区。Eas表示在这个击穿状态下管子能吸收多少能量而不损坏。30mJ属于中等水平。4,VGS,栅极电压范围,超过这个电压,哪怕是瞬间,也会击穿栅极.5,Power dissipation (Ptot) 总功耗,52W,管子能承受的最大功率耗散.如果你让管子消耗了50W的功率比如通过大电流产生热量那必须给它装上巨大的散热器保持外壳温度够低否则芯片会烧毁。6.Tj,Tstg:工作结温和存储温度.Thermal characteristics底层热阻顶层热阻6cm2 的散热铜箔区域,设备焊接在pcb上,热阻50K/WElectrical characteristicstatic characteristics静态特性:1,Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压。2,Gate threshold voltage 栅极阈值电压这意味着如果你想让管子完全关死电压 必须低于 1.2V如果想让管子完全导通进入欧姆区通常要施加远高于此值的电压。3零栅压漏电流从漏极漏到源极的微小电流。这个一般评估功耗。4 栅源漏电流从栅极流向源极的漏电流。由于MOSFET栅极是绝缘的氧化层这个电流极小。也就是mos是电压控制电流。动态特性:5漏源导通电阻 这是MOSFET最重要的参数之一。当MOSFET完全导通时漏极和源极之间的等效电阻。它决定了导通损耗MOS过电流产生的焦耳热。6MOSFET内部栅极的串联电阻。数值Typ0.8Ω, Max1.6Ω。较小的Rg允许更快的开关速度但也可能导致更严重的振铃 ringing。7表示MOSFET的放大能力。即栅极电压变化对漏极电流的控制能力 。dynamic characteristics1Input capacitance 输入电容 栅极和源极之间的等效电容数值Typ1800 pF, Max2520 pF。这个电容决定了驱动电路需要提供多少电荷才能让栅极电压建立起来。电容越大开通/关断越慢驱动损耗越大。2漏极和源极之间的等效电容数值Typ500 pF, Max700 pF。影响关断过程中的电压上升速率。3反向传输电容 / 米勒电容 栅极和漏极之间的电容 。这是MOSFET开关特性中最关键的电容。米勒电容是造成开关过程中米勒平台Miller Plateau的原因。它越小开关速度越快开关损耗越低。4开关时间 这些是MOSFET在特定电路和负载下的开关速度指标。gate charge characteristics栅极电荷特性这里暂时不看后面补上。Reverse diode反向二极管1diode continuous forward current正向导通电流结温25℃最大导通电流能到52A。2diode pulse current 脉冲电流最大能通过392A。在极短的时间内例如几微秒到几毫秒它可以承受高达 392A 的浪涌电流。这通常发生在电机启动或电路出现瞬态过载时。3diode forward voltage 二极管正向电压压降。4reverse recovery time反向恢复时间。当二极管正向导通时内部存储了电荷。当突然给它加反向电压让它关断时它不能瞬间关断会有短暂的瞬间反向导通产生反向恢复电流。5reverse recovery charge反向恢复电荷。electrical characteristics diagrams图一是power dissipation 功率耗散随着温度的不断升高功率会下降。图二是漏极电流温度越高热阻越大电流越小。图三是安全工作范围图四是最大瞬态热阻抗。图一是典型输出特性Vds电压对应的Id电流。图二是Id电流对应的Rds阻值曲线对应的不同Vgs。拓展:Maximum ratings最大额定值:1,持续额定值,Vgs开关电压,和Tc(case temperature)封装测试温度,对应的最大drain漏极电流.2,脉冲电流:Tc25℃,最大能到392A.这个参数由于时间极短热量来不及积累所以可以允许远大于连续电流的数值。这在电机启动、电容充电等场景中很重要。3,Avalanche energy,single pulse 单脉冲雪崩能量,这是衡量MOSFET耐用性鲁棒性 的关键指标。在感性负载如电机、变压器关断时电感会试图维持电流导致MOSFET两端电压瞬间冲高超过Vds耐压值进入“雪崩”击穿区。Eas表示在这个击穿状态下管子能吸收多少能量而不损坏。30mJ属于中等水平。4,VGS,栅极电压范围,超过这个电压,哪怕是瞬间,也会击穿栅极.5,Power dissipation (Ptot) 总功耗,52W,管子能承受的最大功率耗散.如果你让管子消耗了50W的功率比如通过大电流产生热量那必须给它装上巨大的散热器保持外壳温度够低否则芯片会烧毁。6.Tj,Tstg:工作结温和存储温度.Thermal characteristics底层热阻顶层热阻6cm2 的散热铜箔区域,设备焊接在pcb上,热阻50K/WElectrical characteristicstatic characteristics静态特性:1,Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压。2,Gate threshold voltage 栅极阈值电压这意味着如果你想让管子完全关死电压 必须低于 1.2V如果想让管子完全导通进入欧姆区通常要施加远高于此值的电压。3零栅压漏电流从漏极漏到源极的微小电流。这个一般评估功耗。4 栅源漏电流从栅极流向源极的漏电流。由于MOSFET栅极是绝缘的氧化层这个电流极小。也就是mos是电压控制电流。动态特性:5漏源导通电阻 这是MOSFET最重要的参数之一。当MOSFET完全导通时漏极和源极之间的等效电阻。它决定了导通损耗MOS过电流产生的焦耳热。6MOSFET内部栅极的串联电阻。数值Typ0.8Ω, Max1.6Ω。较小的Rg允许更快的开关速度但也可能导致更严重的振铃 ringing。7表示MOSFET的放大能力。即栅极电压变化对漏极电流的控制能力 。dynamic characteristics1Input capacitance 输入电容 栅极和源极之间的等效电容数值Typ1800 pF, Max2520 pF。这个电容决定了驱动电路需要提供多少电荷才能让栅极电压建立起来。电容越大开通/关断越慢驱动损耗越大。2漏极和源极之间的等效电容数值Typ500 pF, Max700 pF。影响关断过程中的电压上升速率。3反向传输电容 / 米勒电容 栅极和漏极之间的电容 。这是MOSFET开关特性中最关键的电容。米勒电容是造成开关过程中米勒平台Miller Plateau的原因。它越小开关速度越快开关损耗越低。4开关时间 这些是MOSFET在特定电路和负载下的开关速度指标。gate charge characteristics栅极电荷特性这里暂时不看后面补上。Reverse diode反向二极管1diode continuous forward current正向导通电流结温25℃最大导通电流能到52A。2diode pulse current 脉冲电流最大能通过392A。在极短的时间内例如几微秒到几毫秒它可以承受高达 392A 的浪涌电流。这通常发生在电机启动或电路出现瞬态过载时。3diode forward voltage 二极管正向电压压降。4reverse recovery time反向恢复时间。当二极管正向导通时内部存储了电荷。当突然给它加反向电压让它关断时它不能瞬间关断会有短暂的瞬间反向导通产生反向恢复电流。5reverse recovery charge反向恢复电荷。electrical characteristics diagrams图一是power dissipation 功率耗散随着温度的不断升高功率会下降。图二是漏极电流温度越高热阻越大电流越小。图三是安全工作范围图四是最大瞬态热阻抗。图一是典型输出特性Vds电压对应的Id电流。图二是Id电流对应的Rds阻值曲线对应的不同Vgs。
