一、芯片设计中的的电热设计1.1 芯片设计中的电设计下面表格汇总了主要的设计方法和考量因素在不同尺度下的演变：设计维度微米级别（例如 0.8 μm 以上）亚微米/深亚微米级别（例如 0.35 μm 至 0.25 μm）及更小尺寸核心设计焦点晶体管性能（速度、驱动能力）互连线效应（延迟、串扰、IR 压降）、工艺效应（如 STI 应力、WPE）时序分析与收敛门延迟主导，互连线延迟占比小；静态时序分析（STA）相对简单，通常关注单一工作条件。互连线延迟成为主导；需时序驱动设计 (TDD)；分析变得复杂，需考虑多模式多端角 (MMMC) 和统计静态时序分析 (SSTA) 。信号完整
【信息科学与工程学】计算机科学与自动化 第十篇 芯片设计-02 电热设计
发布时间：2026/5/21 9:18:02
一、芯片设计中的的电热设计1.1 芯片设计中的电设计下面表格汇总了主要的设计方法和考量因素在不同尺度下的演变：设计维度微米级别（例如 0.8 μm 以上）亚微米/深亚微米级别（例如 0.35 μm 至 0.25 μm）及更小尺寸核心设计焦点晶体管性能（速度、驱动能力）互连线效应（延迟、串扰、IR 压降）、工艺效应（如 STI 应力、WPE）时序分析与收敛门延迟主导，互连线延迟占比小；静态时序分析（STA）相对简单，通常关注单一工作条件。互连线延迟成为主导；需时序驱动设计 (TDD)；分析变得复杂，需考虑多模式多端角 (MMMC) 和统计静态时序分析 (SSTA) 。信号完整
