18770344597 Planar MOS平面 MOS老祖宗联系结构• 栅极在表面源极 / 漏极横向分布• 沟道是“平着”的Planar特点• ✅ 工艺成熟、稳定、成本低• ❌ 单位面积导通能力弱• ❌ Rds(on) 大特别是中高压时• ❌ 高频性能一般一句话总结便宜、皮实、但性能一般常见应用• 老型号电源• 对成本敏感、效率要求不高• 低频、低开关速度场合1. 产品基本情况类型统一所有器件均为 Single-NN 沟道MOSFET工艺一致全部采用 Planar平面型工艺状态所有产品均为 Active量产在售状态ESD 保护全部型号都无 ESD 保护ESD 列均为 No2. 关键电参数范围耐压VDS覆盖 500V、600V、650V、800V、900V 多个等级其中 650V 型号数量最多栅源电压VGS统一为 ±30V漏极电流ID范围在 2A–12A 之间导通电阻RDS (on)在 10V VGS 条件下典型值从 410mΩ 到 4800mΩ 不等最大值最高可达 5500mΩ3. 封装类型主要提供 TO-220-3L、TO-220F、TO-220F-B、TO-252-2L、TO-251S 这几种标准封装方便不同应用场景适配。Trench MOS沟槽 MOS结构• 把栅极“挖进硅里”形成垂直沟槽• 沟道是“竖着”的带来的直接好处• 沟道更短• 单位面积更多沟道➡ Rds(on) 大幅降低特点• ✅ 低 Rds(on)比 Planar 小很多• ✅ 低压段≤100V优势巨大• ❌ Cgs / Cgd 偏大• ❌ 高频下驱动损耗略大一句话总结低压大电流的王者常见应用• DC-DC• 电池保护• 同步整流• 马达驱动低压1. 产品基本情况状态所有型号均为 Active量产在售状态工艺统一采用 Trench沟槽型工艺属于性能稳定的成熟技术类型全部是 Single-NN 沟道增强型MOSFET主要用于开关、电源管理等场景2. 关键电参数范围漏源电压VDS覆盖 20V、30V、50V、60V、100V是选型的核心指标之一栅源电压VGS多数型号为 ±20V部分为 ±7V、±8V、±10V、±12V、±6V导通电阻RDS (ON)这是关键性能指标在 VGS10V 或 4.5V 下测试数值从 35mΩ 到 10000mΩ 不等数值越小代表导通损耗越低3. 封装形式主流封装包括SOT-23小型化最常见、SOT-323超小型还有SOT-523、SOT-723和TO-92直插式等可满足不同空间和安装需求以上是部分长晶的Trench MOS型号SGT MOSShielded Gate Trench屏蔽栅沟槽 MOS这是 Trench MOS 的升级版。结构• 在 Trench MOS 的沟槽里• 栅极下方多了一层 Shield屏蔽层• 通常接源极屏蔽层的作用• 隔离栅极 ↔ 漏极电场• 显著降低 Cgd米勒电容特点• ✅ Rds(on) 低• ✅ Cgd 小 → 开关更快• ✅ EMI 更好控制• ❌ 工艺更复杂成本略高一句话总结又低阻又快是 Trench 的“完全体”常见应用• 高频开关电源• 快速同步整流• 对 EMI 敏感的系统• 服务器电源、快充1. 整体概况这是一份 N 沟道增强型 MOSFETSingle-N 的产品选型表所有器件均处于 Active量产 状态采用 SGT屏蔽栅沟槽 工艺制造。所有型号均无 ESD 保护栅源电压VGS多为 ±20V部分型号为 20/-12V。2. 核心参数范围漏源电压VDS覆盖 30V、40V、60V、80V、100V、120V、150V 等多个耐压等级。漏极电流ID从 15A 到 130A 不等满足不同功率需求。导通电阻RDS (on)在 VGS10V 时典型值从 2.1mΩ 到 50.6mΩ在 VGS4.5V 时典型值从 2.9mΩ 到 90mΩ体现了不同驱动电压下的性能差异。3. 封装类型主要封装包括PDFNWB 系列如 PDFNWB5x6-8L、PDFNWB3x3-3.8L、TO 系列如 TO-252-2L、TO-263-2L、TO-220F以及SOP8、TO-220-3L-C可适配不同的 PCB 布局和散热需求。4. 选型建议低耐压30V-40V型号适合低压大电流场景如电源、电机驱动。高耐压100V-150V型号适合高压工业电源、适配器等应用。低导通电阻型号如 CJAC130SN04、CJAC130SN06L适合对效率要求高的开关电源。Super Junction MOSSJ MOS超级结 MOS这是和 Trench / Planar 完全不同的一条技术路线主要解决高压 MOS 的 Rds(on) 问题。结构• N 柱 / P 柱交替排列像条形码• 电场被“均匀分摊”核心突破打破了传统 MOS耐压 ↑ ⇒ Rds(on) 必然 ↑ 的限制特点• ✅ 中高压≥200VRds(on) 极低• ✅ 适合高压高效电源• ❌ 低压下没优势• ❌ 反向恢复特性一般需注意一句话总结高压领域的效率神器常见应用• PFC400–650V• 服务器电源• 逆变器• 工业电源这是三款Super Junction超结结构的Single-NN 沟道MOSFET 产品目前状态均为Active量产中且都不具备 ESD 防护功能。各型号核心参数对比型号耐压VDS栅压VGS导通电流ID阈值电压VGS(TH)RDS(on)10V封装CJPF360JN65A650V±30V11.5A2.5~4.5V320mΩ Typ / 360mΩ MaxTO-220F-DCJP360JN65650V±30V11.5A2.5~4.5V320mΩ Typ / 360mΩ MaxTO-220-3L-CCJWT030JN65AD600V±20V80A3~5V26mΩ Typ / 30mΩ MaxTO-247核心差异电流能力与导通电阻CJWT030JN65AD 是三者中电流最大80A、导通电阻最低26mΩ Typ的型号适合大电流场景。封装形式CJPF360JN65A、CJP360JN65 为 TO-220 系列封装而 CJWT030JN65AD 采用更大的 TO-247 封装散热能力更强。耐压与栅压CJWT030JN65AD 的 VDS600V和 VGS±20V略低于另外两款650V、±30V。一张“工程选型”速查表电子元件类型相关特性表格类型电压范围Rds(on)开关速度典型场景Planar低–中高慢低成本、低频Trench低压很低中大电流SGT低压很低快高频、EMISuper Junction中高压极低快PFC / 工业选型口诀送你一个• 低压大电流 Trench / SGT• 低压 高频 EMI 严格 SGT• 200V 以上高效率 Super Junction• 便宜好用就行 Planar深圳市凯利盈科技有限公司创立于2008年5月20日是一家专业代理各类电子元器件的企业。主要产品二极管、三极管、MOS管、IC、MCU等。代理产品覆盖网络通讯、工业控制、汽车电子、安防监控、消费电子和家电等领域。在产品方面立足于原装正品以为客户提供高性能高可靠性产品为目标。在经营服务方面有一组富有经验的营销队伍和富有丰富操作经验和开发能力的技术支持队伍并能做到两者密切配合。凯利盈秉承开拓创新精心设计技术支持顾客满意体系完善持续改进的质量方针致力于和客户建立互惠及长期合作的关系。在企业文化方面重视人才的价值提升和调动每位员工的自我创新潜力为每位员工充分发挥才能提供良好的品台和机制。地址深圳市宝安区新安街道海裕社区宝安区82区新湖路华美居商务中心A区445
长晶MOS管的四种工艺类型
发布时间：2026/7/6 20:42:39
18770344597 Planar MOS平面 MOS老祖宗联系结构• 栅极在表面源极 / 漏极横向分布• 沟道是“平着”的Planar特点• ✅ 工艺成熟、稳定、成本低• ❌ 单位面积导通能力弱• ❌ Rds(on) 大特别是中高压时• ❌ 高频性能一般一句话总结便宜、皮实、但性能一般常见应用• 老型号电源• 对成本敏感、效率要求不高• 低频、低开关速度场合1. 产品基本情况类型统一所有器件均为 Single-NN 沟道MOSFET工艺一致全部采用 Planar平面型工艺状态所有产品均为 Active量产在售状态ESD 保护全部型号都无 ESD 保护ESD 列均为 No2. 关键电参数范围耐压VDS覆盖 500V、600V、650V、800V、900V 多个等级其中 650V 型号数量最多栅源电压VGS统一为 ±30V漏极电流ID范围在 2A–12A 之间导通电阻RDS (on)在 10V VGS 条件下典型值从 410mΩ 到 4800mΩ 不等最大值最高可达 5500mΩ3. 封装类型主要提供 TO-220-3L、TO-220F、TO-220F-B、TO-252-2L、TO-251S 这几种标准封装方便不同应用场景适配。Trench MOS沟槽 MOS结构• 把栅极“挖进硅里”形成垂直沟槽• 沟道是“竖着”的带来的直接好处• 沟道更短• 单位面积更多沟道➡ Rds(on) 大幅降低特点• ✅ 低 Rds(on)比 Planar 小很多• ✅ 低压段≤100V优势巨大• ❌ Cgs / Cgd 偏大• ❌ 高频下驱动损耗略大一句话总结低压大电流的王者常见应用• DC-DC• 电池保护• 同步整流• 马达驱动低压1. 产品基本情况状态所有型号均为 Active量产在售状态工艺统一采用 Trench沟槽型工艺属于性能稳定的成熟技术类型全部是 Single-NN 沟道增强型MOSFET主要用于开关、电源管理等场景2. 关键电参数范围漏源电压VDS覆盖 20V、30V、50V、60V、100V是选型的核心指标之一栅源电压VGS多数型号为 ±20V部分为 ±7V、±8V、±10V、±12V、±6V导通电阻RDS (ON)这是关键性能指标在 VGS10V 或 4.5V 下测试数值从 35mΩ 到 10000mΩ 不等数值越小代表导通损耗越低3. 封装形式主流封装包括SOT-23小型化最常见、SOT-323超小型还有SOT-523、SOT-723和TO-92直插式等可满足不同空间和安装需求以上是部分长晶的Trench MOS型号SGT MOSShielded Gate Trench屏蔽栅沟槽 MOS这是 Trench MOS 的升级版。结构• 在 Trench MOS 的沟槽里• 栅极下方多了一层 Shield屏蔽层• 通常接源极屏蔽层的作用• 隔离栅极 ↔ 漏极电场• 显著降低 Cgd米勒电容特点• ✅ Rds(on) 低• ✅ Cgd 小 → 开关更快• ✅ EMI 更好控制• ❌ 工艺更复杂成本略高一句话总结又低阻又快是 Trench 的“完全体”常见应用• 高频开关电源• 快速同步整流• 对 EMI 敏感的系统• 服务器电源、快充1. 整体概况这是一份 N 沟道增强型 MOSFETSingle-N 的产品选型表所有器件均处于 Active量产 状态采用 SGT屏蔽栅沟槽 工艺制造。所有型号均无 ESD 保护栅源电压VGS多为 ±20V部分型号为 20/-12V。2. 核心参数范围漏源电压VDS覆盖 30V、40V、60V、80V、100V、120V、150V 等多个耐压等级。漏极电流ID从 15A 到 130A 不等满足不同功率需求。导通电阻RDS (on)在 VGS10V 时典型值从 2.1mΩ 到 50.6mΩ在 VGS4.5V 时典型值从 2.9mΩ 到 90mΩ体现了不同驱动电压下的性能差异。3. 封装类型主要封装包括PDFNWB 系列如 PDFNWB5x6-8L、PDFNWB3x3-3.8L、TO 系列如 TO-252-2L、TO-263-2L、TO-220F以及SOP8、TO-220-3L-C可适配不同的 PCB 布局和散热需求。4. 选型建议低耐压30V-40V型号适合低压大电流场景如电源、电机驱动。高耐压100V-150V型号适合高压工业电源、适配器等应用。低导通电阻型号如 CJAC130SN04、CJAC130SN06L适合对效率要求高的开关电源。Super Junction MOSSJ MOS超级结 MOS这是和 Trench / Planar 完全不同的一条技术路线主要解决高压 MOS 的 Rds(on) 问题。结构• N 柱 / P 柱交替排列像条形码• 电场被“均匀分摊”核心突破打破了传统 MOS耐压 ↑ ⇒ Rds(on) 必然 ↑ 的限制特点• ✅ 中高压≥200VRds(on) 极低• ✅ 适合高压高效电源• ❌ 低压下没优势• ❌ 反向恢复特性一般需注意一句话总结高压领域的效率神器常见应用• PFC400–650V• 服务器电源• 逆变器• 工业电源这是三款Super Junction超结结构的Single-NN 沟道MOSFET 产品目前状态均为Active量产中且都不具备 ESD 防护功能。各型号核心参数对比型号耐压VDS栅压VGS导通电流ID阈值电压VGS(TH)RDS(on)10V封装CJPF360JN65A650V±30V11.5A2.5~4.5V320mΩ Typ / 360mΩ MaxTO-220F-DCJP360JN65650V±30V11.5A2.5~4.5V320mΩ Typ / 360mΩ MaxTO-220-3L-CCJWT030JN65AD600V±20V80A3~5V26mΩ Typ / 30mΩ MaxTO-247核心差异电流能力与导通电阻CJWT030JN65AD 是三者中电流最大80A、导通电阻最低26mΩ Typ的型号适合大电流场景。封装形式CJPF360JN65A、CJP360JN65 为 TO-220 系列封装而 CJWT030JN65AD 采用更大的 TO-247 封装散热能力更强。耐压与栅压CJWT030JN65AD 的 VDS600V和 VGS±20V略低于另外两款650V、±30V。一张“工程选型”速查表电子元件类型相关特性表格类型电压范围Rds(on)开关速度典型场景Planar低–中高慢低成本、低频Trench低压很低中大电流SGT低压很低快高频、EMISuper Junction中高压极低快PFC / 工业选型口诀送你一个• 低压大电流 Trench / SGT• 低压 高频 EMI 严格 SGT• 200V 以上高效率 Super Junction• 便宜好用就行 Planar深圳市凯利盈科技有限公司创立于2008年5月20日是一家专业代理各类电子元器件的企业。主要产品二极管、三极管、MOS管、IC、MCU等。代理产品覆盖网络通讯、工业控制、汽车电子、安防监控、消费电子和家电等领域。在产品方面立足于原装正品以为客户提供高性能高可靠性产品为目标。在经营服务方面有一组富有经验的营销队伍和富有丰富操作经验和开发能力的技术支持队伍并能做到两者密切配合。凯利盈秉承开拓创新精心设计技术支持顾客满意体系完善持续改进的质量方针致力于和客户建立互惠及长期合作的关系。在企业文化方面重视人才的价值提升和调动每位员工的自我创新潜力为每位员工充分发挥才能提供良好的品台和机制。地址深圳市宝安区新安街道海裕社区宝安区82区新湖路华美居商务中心A区445
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