SiC（碳化硅）功率器件 HTGB 和 H3TRB 测试详解（2026 年最新现状）SiC MOSFET 是目前新能源汽车、光伏、储能、工业驱动等高压应用的核心器件，但其栅氧可靠性和封装耐湿性比 Si 器件更具挑战性。HTGB和H3TRB（含 HV-H3TRB）是 SiC 器件可靠性认证中最关键的两项静态偏置加速寿命测试，直接关系车规级 AEC-Q101 / AQG 324 认证通过与否。1. 为什么 SiC 需要特别重视这两项测试？问题Si 器件SiC 器件测试针对性栅氧质量成熟、缺陷少SiO₂/SiC 界面陷阱多、氧化层缺陷高HTGB（栅氧 TDDB、Vth 漂移、BTI）高压端耐湿性低压为主650V~1700V+，户外/车载易受潮H3TRB / HV-H3TRB（端子腐蚀、钝化层失效、漏电流激增）工作环境较温和高温（175℃+）、高湿、高压/
SiC（碳化硅）功率器件 HTGB 和 H3TRB 测试详解（2026 年最新现状）
发布时间：2026/7/10 1:20:31
SiC（碳化硅）功率器件 HTGB 和 H3TRB 测试详解（2026 年最新现状）SiC MOSFET 是目前新能源汽车、光伏、储能、工业驱动等高压应用的核心器件，但其栅氧可靠性和封装耐湿性比 Si 器件更具挑战性。HTGB和H3TRB（含 HV-H3TRB）是 SiC 器件可靠性认证中最关键的两项静态偏置加速寿命测试，直接关系车规级 AEC-Q101 / AQG 324 认证通过与否。1. 为什么 SiC 需要特别重视这两项测试？问题Si 器件SiC 器件测试针对性栅氧质量成熟、缺陷少SiO₂/SiC 界面陷阱多、氧化层缺陷高HTGB（栅氧 TDDB、Vth 漂移、BTI）高压端耐湿性低压为主650V~1700V+，户外/车载易受潮H3TRB / HV-H3TRB（端子腐蚀、钝化层失效、漏电流激增）工作环境较温和高温（175℃+）、高湿、高压/
