NYFEA 徕飞新品预告｜7 款全场景硅电容

随着算力、光通信、工业控制、IoT 便携设备持续发展传统 MLCC 寄生高、温漂大、小型化难等痛点逐渐显现。 NYFEA 徕飞深耕新型半导体元件重磅规划7 款贴片硅电容产品线封装包含四种 0101、0202、0201M、0402耐压范围从 4.5V至300V容值 0.1nF至200nF相对于传统陶瓷电容硅电容基于半导体工业制造在高频特性、可靠性和体积利用率上实现了质的飞跃。高压微型系列300V0101/0202行业极小封装配合高达300V 的耐压组合突破相同尺寸陶瓷电容的耐压上限专门为高压隔离或保护电路设计与此同时超低 ESL高频高压电路无压电噪声。由于这些特性这些型号适合高压电源模块中的缓冲与滤波以及射频功率放大器的偏置去耦。薄型低压高速系列11V/15V/16V0201M改良薄型 0201M 封装体积紧凑、产品更薄宽温容值稳定温漂远优于 MLCC适合用作高速数字信号耦合与滤波抑制电源噪声效果拉满。大容量通用系列4.5V/9V04020402标准贴片封装最大 200nF 高容规格适配低电压便携物联网设备、可穿戴设备、小型传感器电源滤波是服务器高密度电源模块的理想选择。单颗就可以替代多颗 MLCC从而简化 PCB 布线。徕飞硅电容核心硬核优势超低寄生参数半导体 3D 深槽结构ESL 极低且ESR也极低在百GHz 高频区间内仍能保持优异的滤波与去耦性能极致的性能稳定性采用半导体级的二氧化硅介质容值随温度、电压、时间的变化微乎其微无 MLCC 直流偏压衰减缺陷小型化与高压兼顾最小 0101 超微型封装同时实现 300V 高压耐受填补了市场上微型高压电容的空白;低漏电流高可靠介质绝缘性能优异待机漏电极低可靠性极高寿命可达传统的MLCC的20倍长期运行稳定。NYFEA 徕飞持续布局硅电容、超级电容、传感器等新型元器件依托深圳自研产线为通信、工业、消费电子客户提供高稳定性国产替代方案徕飞科技。